復(fù)合鋁箔采用4.5-8微米的PET/PP/PI等高分子薄膜作為基材，通過PVD工藝在其兩側(cè)沉積一層約1微米的鋁層，形成“鋁-高分子-鋁”的三明治結(jié)構(gòu)。

其核心價(jià)值在于：

1. 極高的沉積速率與產(chǎn)能：?電阻蒸發(fā)可以將鋁材瞬間加熱至熔融、汽化，產(chǎn)生極高的鋁原子流，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超濺射的沉積速率，非常適合大規(guī)模生產(chǎn)。

2. 極低的設(shè)備與運(yùn)營(yíng)成本：?電阻蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電源功率要求遠(yuǎn)低于同產(chǎn)能的濺射電源，設(shè)備投資和電力消耗成本顯著降低。

3. 優(yōu)異的膜層純度：?過程無濺射氣體（如氬氣）引入，沉積的鋁膜純度高，本征導(dǎo)電性更好。

4. 低粒子損傷：?蒸發(fā)粒子主要為中性原子，能量低，對(duì)聚合物基材的等離子體轟擊損傷和輻照損傷極小，特別有利于保護(hù)熱敏性基材（如PP）的機(jī)械性能。

PVD工藝流程

1. 放卷：?在真空鎖室內(nèi)裝入基材卷。

2. 預(yù)抽與傳輸：?經(jīng)一級(jí)真空室預(yù)抽后，薄膜進(jìn)入高真空主腔室。

3. 等離子體清潔：?薄膜首先通過在線等離子體體清潔站，雙面同時(shí)被活化。

4. 雙面沉積：?活化后的薄膜緊貼冷卻輥，依次通過上、下對(duì)稱布置的多個(gè)電阻蒸發(fā)源區(qū)。鋁絲被持續(xù)送入蒸發(fā)舟，汽化的鋁原子向上、下方向的薄膜表面沉積。

5. 膜厚監(jiān)測(cè)：?集成非接觸式光學(xué)監(jiān)控或石英晶振片，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜厚并反饋控制送絲速率。

6. 冷卻與收卷：?完成沉積的薄膜經(jīng)過后續(xù)冷卻段，最終在出口真空鎖室收卷。

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